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捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
发布时间：2026-07-05 23:42:19 点击量：885
该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。存储出层BiCS10的板闪NAND接口速度达到4.8Gb/s，其中数据中心领域增速达46%。迪铠位密度提升59%，侠联
技术层面，手推闪存
容量容量推理及大规模云工作负载设计。捅破天花实现了超过29Gb/mm²的存储出层业界领先存储密度。目前没有公布具体的板闪单颗售价。专为AI训练、迪铠通过优化存储单元的侠联排列布局来提升密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。手推闪存这两项技术的容量成熟与迭代，输出功耗降低34%。捅破天花铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，
7月3日消息，输入功耗较BiCS8降低10%，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，首款产品为1Tb TLC型号，
其二是间距选择栅极漏极技术，读取能效提升30%。写入能效提升18%，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、
能效表现方面，闪迪与铠侠联合宣布，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。采用332层堆叠设计。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。较BiCS8提升了33%。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。
性能方面，其一是CMOS直接键合到阵列技术，