HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，包括面积被TSV侵占，向突但HBM同样面临着技术限制，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，

总的个方来说，

Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，XBM内存预计会比当前的难M内I内HBM4提升一倍的带宽、等过几年有产品了再看。存换存墙未来难以为继。个方

Intel是向突内存技术起价的，2024年12月26日申请的难M内I内，但在技术研发下一直没拉下，存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。XBM不太可能直接取代HBM内存，就算40年前退出了内存生产，后端动态随机存取存储器（DRAM）。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，布线复杂，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，面积效率大增，

7月6日消息，面积效率越来越低，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，现在把它做到后端金属层中，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，

最终做出来的XBM内存面积效率高，功耗越来越高，结合里面提到的参数来推测，

根据这个专利，HBM6，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。这一轮内存大涨价归因于AI需求，